Жорес Иванович Алферов: жизнь, наука, наследие

Жорес Алферов — один из самых выдающихся советских и российских физиков, лауреат Нобелевской премии, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», академик РАН, общественный деятель. Его имя ассоциируется с теми технологиями, которые мы используем каждый день: мобильные телефоны, CD‑проигрыватели, светодиоды, солнечные батареи, волоконно‑оптические линии связи.

Ранние годы

15 марта 1930 года в Витебске (Белоруссия) родился Жорес Иванович. Уже в школе он проявил интерес к физике, а золотая медаль за успеваемость предвещала будущие научные подвиги.

В 1947 году поступил в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова, где выбрал специализацию «электровакуумная техника». На третьем курсе стал работать в лаборатории профессора Б. Козырева, где впервые прикоснулся к полупроводникам — теме, которая определит всю его карьеру.

Научная карьера в советскую эпоху

После окончания ЛЭТИ в 1953 году Алферов поступил в Физико‑технический институт им. А. Ф. Иоффе. Там перед учёными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для промышленности СССР. Под руководством Алферова разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые элементы.

1959 год ознаменовался защитой кандидатской диссертации, подводившей итог десятилетней лабораторной работы. Полученный опыт позволил ему перейти к самостоятельным исследованиям.

В 1963 году Алферов начал изучать полупроводниковые гетеропереходы, сформулировав новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктурах. Эти идеи стали фундаментом для создания светодиодов, лазеров и высокочастотных транзисторов, из которых впоследствии выросли современные коммуникационные технологии.

Учёный‑практик

1970 год — защита докторской диссертации, обобщающей результаты исследований гетероструктур, и получение степени доктора физико‑математических наук. В 1972 году Алферов стал профессором, а уже в следующем году возглавил базовую кафедру оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990‑х годов под его руководством началась работа с наноструктурами пониженной размерности: квантовыми проволоками и точками. Исследования заложили основу «зонной инженерии» — нового направления электроники, открывающего широкие возможности в оптической и квантовой технике.

Нобелевская премия и признание

В 2000 году Жорес Алферов получил Нобелевскую премию по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив её с Г. Крёмером и Д. Килби. За всю карьеру учёный удостоен множества орденов, медалей и премий, является членом академий наук разных стран, а его труды цитируются в сотнях международных публикаций.

Общественная деятельность

• Вице‑президент РАН (1991–2017)
• Председатель Президиума Санкт‑Петербургского научного центра РАН
• Автор более 500 научных статей, трёх монографий и 50 патентов
• Учредитель Фонда поддержки талантливой школьной и студенческой молодежи
• Ректор‑организатор нового Академического университета
• Сопредседатель Консультативного научного совета Фонда «Сколково»

«Будущее России — наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем‑то из моих учеников», — сказал он.

Последние годы

1 марта 2019 года Жорес Иванович скончался в Санкт‑Петербурге, не дожив до 89‑летия. Похоронен на Комаровском кладбище. Его наследие живёт в миллиардах устройств, основанных на гетероструктурах, и в новых поколениях учёных, вдохновлённых его примером.